报告题目：新型二维硫族半导体：设计、合成以及器件应用

          报告时间：2018年4月23日8：30

          报告地点：自动化学院泰山报告厅

          报 告 人：何军 研究员
报告人简介：
    何军，国家杰青，现任国家纳米科学中心研究员，博士生导师，2010年入选中科院“百人计划”，2016年获国家杰出青年基金。2017年入选第三批国家“万人计划”科技创新领军人才。2003毕业于中科院半导体研究所，获工学博士学位，师从王占国院士。同年8月赴荷兰艾茵霍温科技大学做博士后。2005年-2007年，在美国加州大学圣巴巴拉分校任博士后从事低维半导体材料和器件研究。2007年-2010年美国加州大学洛杉矶分校任研究科学家。已在Nano Letters，Advanced Materials，ACS Nano等国际重要期刊发表SCI论文100余篇，它引大于2000次。目前是英国IOP杂志Nanotechnology编委，自然杂志NPJ 2D Material杂志编委。
内容简介：
    当材料的特征尺寸降低到纳米级别时，半导体就会展现出一些常规尺寸下所不具有的特性，例如量子限域效应、高的静电调控能力、以及强的光-物质相互作用。在众多的低维结构中，由于二维结构与传统微电子加工技术以及柔性基底具有非常好的兼容性，使得程二维结构的半导体材料在电子和光电子方面的革新浪潮中处于领导地位。在本报告中，将集中讨论以下两个方面：1.二维层状金属硫族化合物的可控制备、物理性质以及电子和光电子方面的应用。2.二维非层状材料的范德华外延、电子和光电子性质研究，包括CdTe、Te以及Pb1-xSnxSe等纳米片。