电子e+学术论坛第2期:高性能三五族半导体纳米线

6月9日下午,电子学院“电子e+学术论坛”第2期在J-11楼305会议室举行山东大学杨再兴教授应邀为电子学院师生作了题为《高性能三五族半导体纳米线》的学术报告。报告由张玉萍副院长主持,学院30余名师生参加了报告会。

 报告中,杨再兴教授首先介绍了一维纳米材料的合成方法和制备机理,接着系统介绍了他的一些主要工作,包括三五族纳米线的合成以及优化合成条件,最终得到了以GaSb为沟道层的场效应晶体管,并利用接触印刷法进一步提高了器件的性能。报告会结束后,杨再兴教授和学院师生进行了交流和讨论,回答了师生的提问,并介绍了山东大学微纳电子中心的实验条件。

 杨再兴教授是山东大学微电子学院博士生导师、齐鲁青年学者。已发表SCI论文35篇,包括Nature Communications, Advanced Materials, ACS Nano, Nanoscle,ACS Applied Materials & Interface, Scientific Reports等著名期刊,作为项目首席成功申请到“2017年度国家重点研发计划量子调控与量子信息重点专项青年科学家项目”。

 

 

 

 

 

 

更新时间:2017-06-13 点击 1111 分享:

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